参数	值
产品	未分类
型号编码	STH270N4F3-2n:
说明	未分类   H2PAK-2 H²PAK
起订量	1
最小包	1
现货	397 [库存更新时间：2024-05-24]
最高工作温度	+ 175 C
300 W	Pd - 功率消耗
封装/外壳	H2PAK-2
系列	STH270N4F3-2
FET类型	Enhancement
下降时间	45 ns
最低工作温度	- 55 C
FET类型	N-Channel
上升时间	180 ns
标准包装数量	1000
公司名称	STripFET
标准断开延迟时间	110 ns
漏源极电压Vds	40 V
栅极电压Vgs	20V
连续漏极电流Id	180 A
Rds On(Max)@Id,Vgs	1.4 m0hms
配置	Single
栅极电压Vgs	2 V
110 nC	Qg - 闸极充电
FET类型	N-Channel
漏源极电压Vds	40V
连续漏极电流Id	180A(Tc)
驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）	10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）	4V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）	150nC @ 10V
栅极电压Vgs	±20V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）	7400pF @ 25V
功率	300W(Tc)
Rds On(Max)@Id,Vgs	1.7 毫欧 @ 80A,10V
工作温度	-55°C ~ 175°C(TJ)
封装/外壳	H²PAK